アルミニウム酸化亜鉛スパッタリングターゲット

アルミニウム酸化亜鉛スパッタリングターゲット透明導電膜の開発により、ITOに代わるAZO(Al2O3-ZnO)ターゲットが広く使用されています。AZO透明導電膜は、バンドギャップが3.4eV、固有吸収極限が360nmで、薄膜電池の窓層材料として使用できます。その広いバンドギャップの特徴は、p、n型ドープ領域による光の吸収を減少させ、光エネルギーの利用率を向上させることができる。同時に、AZO透明導電フィルムは、低抵抗率および高い可視光透過率を有し、良好な前面透明層材料となる。同時に、AZOはまた、高いプラズマ安定性、容易な調製技術、および無毒で無害な原料の特性を有し、AZOを薄膜太陽電池の分野でより広く使用させる。

アルミニウム酸化亜鉛スパッタリングターゲット画像:

Aluminum Zinc Oxide Sputtering Targets

AZO Sputtering Target

当社は、高純度、高密度、均一に組織化されたAZOターゲット、およびAZOターゲットとバックプレーンのバインディングサービスをお客様に提供できます。

種類	製品名	式	純度	融点	密度(グラム/cc)	使用可能な図形
酸化物	酸化アルミニウム	アル2O3 ·	4N	2045	4	ターゲット、パーティクル
	酸化ビスマス(III)	Bi2O3	4N	820	8.9	ターゲット、パーティクル
	酸化クロム(III)	Cr2O3	4N	2435	5.2	ターゲット、パーティクル
	酸化エルビウム	エル2O3	4N	2378	8.64	ターゲット、パーティクル
	酸化ハフニウム	ティッカー	4N	2812	9.7	ターゲット、パーティクル
	酸化インジウム錫	伊藤	4N	1565	7.6	ターゲット
	苦土	マグネシウム	4N	2800	3.58	ターゲット、パーティクル
	五酸化ニオブ	Nb2O5 ·	4N	1530	4.47	ターゲット、パーティクル
	ネオジム(III)酸化物	Nd2O3	4N	2272	7.2	ターゲット、パーティクル
	酸化ニッケル	ニオ	4N	1990	7.45	ターゲット、パーティクル
	酸化スカンジウム	Sc2O3 ·	4N	2480	3.86	ターゲット、パーティクル
	酸化ケイ素	シオ	4N	1702	2.13	ターゲット、パーティクル
	二酸化ケイ素	SiO2	4N	1610	2.2	ターゲット、パーティクル、クリスタル
	酸化サマリウム(III)	Sm2O3 ·	4N	2350	7.4	ターゲット、パーティクル
	五酸化タンタル	Ta2O5 ·	4N	1800	8.7	ターゲット、パーティクル
	二酸化チタン	ティオ2	4N	1800	4.29	ターゲット、パーティクル
	チタン(V)酸化物	Ti3O5	4N	1750	4.57	ターゲット、パーティクル
	酸化バナジウム(V)	V2O5 ·	4N	690	3.36	ターゲット、パーティクル
	イットリウム(III) 酸化物	Y2O3 ·	4N	2680	4.8	ターゲット、パーティクル
	酸化亜鉛	ズノ	4N	1975	5.6	ターゲット、パーティクル
	アルミニウムドープ酸化亜鉛	アゾ	4N	\	5.4	ターゲット
	二酸化ジルコニウム	ズロ2	4N	2700	5.5	ターゲット、パーティクル
フッ化物	フッ化バリウム	バフ2	4N	1280	4.8	ターゲット、パーティクル
	フッ化カルシウム	カF2	4N	1360	3.13	ターゲット、パーティクル
	フッ化セリウム	シーフ3	4N	1418	6.16	ターゲット、パーティクル
	フッ化カリウム	ティッカー	4N	880	2.48	ターゲット、パーティクル
	フッ化ランタン(III)	ラフ3	4N	1490	6	ターゲット、パーティクル
	フッ化マグネシウム	マグネシウムF2	4N	1266	4.2	ターゲット、パーティクル
	フッ化ナトリウム	ナフ	4N	988	2.79	ターゲット、パーティクル
余人	チタン酸バリウム	バティオ3	4N	1620	3.96	ターゲット、パーティクル
	チタン酸ストロンチウム	SrTiO3	4N	2080	5.12	ターゲット、パーティクル
	硫化亜鉛	ZnS	4N	1830	4.1	ターゲット、パーティクル
	窒化ケイ素	Si3N4 ·	4N	昇華	3.44	ターゲット、パーティクル
	窒化チタン	錫	4N	2950	5.43	ターゲット、パーティクル
	窒化アルミニウム	アルン	4N	昇華	3.26	ターゲット、パーティクル
	窒化ホウ素	ティッカー	4N	3000	2.25	ターゲット、パーティクル
	スリリコンカーバイド	ティッカー	4N	2700	3.22	ターゲット

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