ホウ素スパッタリングターゲット
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Product Details ofホウ素スパッタリングターゲット
ホウ素スパッタリング ターゲットの説明
スパッタリング プロセスは、主に、超高純度のスパッタ金属または酸化物材料の薄膜を別の固体基板上に堆積し、イオン衝撃によるターゲット材料の除去および指向性ガス/プラズマ相への変換を制御することです。 ホウ素は、太陽系と地球の地殻に存在量の少ない元素です。 室温では弱導体、高温では良導体です。 ホウ素スパッタリング ターゲットは、優れた物理的および化学的特性、高融点、最小の平均粒子サイズ、高温耐食性、優れた耐久性、優れた導電性、および高いコスト パフォーマンスを備えています。 これは、優れた材料の化学蒸着 (CVD) および物理蒸着 (PVD) プロセスです。 ホウ素スパッタリングターゲットは、主に原子力産業、ガラスコーティング産業、電子情報産業、化学産業、生物医学、航空宇宙産業、ハイエンド装飾製品、金属製錬産業などで広く使用されています。
ホウ素スパッタリング ターゲットの仕様:
材料 |
ボロン(B) |
技術 |
熱間静水圧プレス、結晶粒微細化、焼結、鍛造、焼鈍 |
純度 |
99-99.99パーセント |
サイズ |
ディスク、プレート、ステップ(直径480mm以下、厚さ1mm以上) チューブ(直径< 300mm,Thickness >2mm) |
密度 |
2.34g/cm3 |
融点 |
2300度 |
沸点 |
2550度 |
形 |
ディスク、プレート、コラムターゲット、ステップターゲット、オーダーメイド |
水面 |
磨き、アルカリ洗浄、研磨、黒染など |
認証 |
ISO9001 |
ホウ素スパッタリング ターゲットの写真:
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