半導体用モリブデン・タングステンイオン注入部品

のモリブデンとタングステンのイオン注入部品集積回路の製造における重要なデバイスです。 イオンビームが半導体表面に注入され、堆積されると、キャリア濃度と導電型が変化します。

イオン注入は、その優れた表面改質により、半導体材料、金属、セラミックス、ポリマーなどの分野で広く使用されています。 イオン注入は、大規模集積回路 (IC) の製造の鍵です。 モリブデンデバイスは、半導体イオン注入装置のイオン源系において電離線を抑制・遮蔽するキーデバイスです。

イオン注入中のイオン源のプラズマ イオンへの変換は 2000 度を超える動作温度を生成し、イオン ビーム放出も大量のイオン運動エネルギーを生成するため、通常の金属は急速に燃焼および溶融します。

用途：半導体用モリブデンイオン注入装置部品

1. イオン注入に使用されるモリブデン部品のほとんどは、半導体産業で使用されます。

2. 高密度、高純度、高精度、均一な内部構造を持つモリブデン イオン注入装置を製造します。

3. 当社のモリブデン イオン注入部品は、中ビーム インジェクタおよび強力ビーム インジェクタに適しています。

4. イオン注入用のモリブデン部品は、お客様の図面に従って製造されます。

5.冶金、希土類、機械およびその他の産業に適しています

モリブデンとタングステンのイオン注入部品 写真:

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