真空蒸着とは、真空度｛{0}｝Pa以上の環境下で、抵抗加熱や電子ビーム、レーザー照射などを利用して、蒸着材料を一定の温度まで加熱し、熱振動エネルギーを発生させることです。材料内の分子または原子が表面を超える 結合エネルギーにより、多数の分子または原子が蒸発または昇華し、基板上に直接堆積して薄膜を形成します。
真空蒸着の最も一般的な方法は抵抗加熱であり、加熱源の構造が簡単で、コストが低く、操作が簡単であるという利点があります。 欠点は、高融点金属や高温耐性の誘電体材料には適していないことです。
イオンスパッタリングコーティングは、ガス放電によって生成される陽イオンの高速移動を利用して、電界の作用下で陰極としてターゲットを攻撃し、ターゲット内の原子または分子を逃がして、めっきワークピースの表面に析出させます。必要な膜を形成します。 。
スパッタリング技術は真空蒸着技術とは異なります。 「スパッタリング」とは、荷電粒子が固体表面 (ターゲット) に衝突し、固体原子または分子が表面から放出される現象を指します。 放出された粒子のほとんどは原子状態にあり、スパッタ原子と呼ばれることがよくあります。 ターゲットに衝突するために使用されるスパッタリング粒子は、電子、イオン、または中性粒子です。 イオンは、電場下で必要な運動エネルギーを得るために加速しやすいため、主に衝撃粒子として使用されます。 スパッタされたイオンはすべてガス放電から生じます。
スパッタリング技術が異なれば、使用される放電方法も異なります。 DC ダイオード スパッタリングは DC 放電を使用します。 三極スパッタリングでは、熱陰極によってサポートされる放電が使用されます。 高周波スパッタリングは高周波放電を使用します。 マグネトロン スパッタリングでは、リング磁場によって制御される放電を使用します。
スパッタリングコーティングは真空蒸着コーティングに比べて多くの利点があります。 たとえば、あらゆる物質、特に高融点で蒸気圧の低い元素や化合物をスパッタリングできます。 スパッタ膜と基板との密着性は良好です。 膜密度が高い。 膜厚の制御が可能で再現性が良いなどの利点があります。欠点は、装置が比較的複雑であり、高電圧の装置が必要なことです。
もちろん、蒸着とスパッタリングを組み合わせたイオンプレーティング法の利点は、膜と基板の密着性が非常に強く、成膜速度が速く、電子デバイスに使用される高性能な膜を製造できることです。 冶金加工および装飾用品産業。
